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16Mb: 1 Meg x 16 Async/Page/Burst CellularRAM 1.0 Memory
Timing Diagrams
Figure 40:
Burst WRITE Followed by Burst READ
t C LK
C LK
V IH
V IL
t S P tHD
t S P
tHD
A[19:0]
ADV#
LB#/UB#
V IH
V IL
V IH
V IL
V IH
V IL
VALID
ADDRE SS
t S P tHD
t S P tHD
VALID
ADDRE SS
t S P tHD
C E#
OE#
WE#
V IH
V IL
V IH
V IL
V IH
V IL
t CS P
t S P tHD
tHD
t C BPH 2
t CS P
t S P tHD
tABA
tOHZ
V OH
WAIT
V OL
DQ[15:0] V IH
IN/OUT V IL
High-Z
Hi g h-Z
t S P tHD
D[0]
D[1]
D[2]
D[3]
V OH
V OL
Hi g h-Z
tBOE
tA C LK
tKOH
VALID
OUTPUT
VALID
OUTPUT
VALID
OUTPUT
VALID
OUTPUT
Hi g h-Z
DON’T C ARE
UNDEFINED
Notes:
1. Non-default BCR settings for burst WRITE followed by burst READ: Latency code two (three
clocks); WAIT active LOW; WAIT asserted during delay.
2. When configured for synchronous mode (BCR[15] = 0), a refresh opportunity must be pro-
vided every t CEM. A refresh opportunity is satisfied by either of the following two condi-
tions: a) clocked CE# HIGH, or b) CE# HIGH for greater than 15ns. Note that the CellularRAM
Workgroup 1.0 specification requires CE# to be clocked HIGH to terminate the burst.
3. Clock rates below 50 MHz ( t CLK > 20ns) are allowed as long as t CSP specifications are met.
PDF: 09005aef81cb58ed/Source: 09005aef81c7a667
16mb_burst_cr1_0_p23z_2.fm - Rev. H 4/08 EN
50
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